FQB4P40 |
RFQ for FQB4P40 |
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| Technical/Catalog Information | FQB4P40TM |
| Vendor | Fairchild Semiconductor |
| Category | Discrete Semiconductor Products |
| Mounting Type | Surface Mount |
| FET Polarity | P-Channel |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 400V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 3.5A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.1 Ohm @ 1.75A, 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 680pF @ 25V |
| Power - Max | 3.13W |
| Packaging | Tape & Reel (TR) |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 23nC @ 10V |
| Package / Case | D²Pak, SMD-220, TO-263 (2 leads + tab) |
| FET Feature | Standard |
| Lead Free Status | Lead Free |
| RoHS Status | RoHS Compliant |
| Other Names | FQB4P40TM FQB4P40TM |
| Product | Manufacturers | Pack | D/C |
| FQB4P40 | - | TO-263(D2PAK) | `06+(pb-free) |
These P-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, planar stripe, DMOS technology.
This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for electronic lamp ballast based on complimentary half bridge.
Features |
| • -3.5A, -400V, RDS(on) = 3.1Ω @VGS = -10 V• Low gate charge ( typical 18 nC)• Low Crss ( typical 11 pF)• Fast switching• 100% avalanche tested• Improved dv/dt capability |
| Symbol | Parameter |
FQB4P40 / FQI4P40 |
Units | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| VDSS | Drain-Source Voltage |
-400 |
V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ID | Drain Current - Continuous (TC = 25°C) - Continuous (TC = 100°C) |
-3.5 |
A | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
-2.2 |
A | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDM | Drain Current - Pulsed (Note 1) |
-14 |
A | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| VGSS | Gate-Source Voltage |
± 30 |
V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EAS | Single Pulsed Avalanche Energy (Note 2) |
260 |
mJ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IAR | Avalanche Current (Note 1) |
-3.5 |
A | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EAR | Repetitive Avalanche Energy (Note 1) |
8.5 |
mJ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| dv/dt | Peak Diode Recovery dv/dt (Note 3) |
-4.5 |
V/ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PD | Power Dissipation (TA = 25°C) * |
3.13 |
W | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Power Dissipation (TC = 25°C) - Derate above 25°C |
85 |
W | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
0.68 |
W/°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TJ, TSTG | Operating and Storage Tempe
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